电子工程学生需要面对一些基本的电子产品问题，无论他们是否正在准备采访或VIVA VOCE。因此，本文为您提供了一些面试和其他竞争考试的基本电子产品问题。
通常，您需要引用各种书籍，以涵盖电子产品的主题海洋。为了让你轻松，我从不同的主题中收集了一些基本的电子问题，并将它们组织成不同的部分。
最初，我将在大量选择类型的问题上集中注意力，将来我将添加解释和一些简短的答案类型问题。
大纲
基本介绍问题
1.什么是理想的电压源？
回答：具有零内阻的装置。
2.什么是理想的电流源？
回答：具有无限内阻的装置。
3.什么是实用电压源？
回答：内阻小的装置。
4.什么是实用电流源？
回答：内阻具有大的装置。
5.理想电压源的电压是
A.零
B.常数
C.依赖于负载
D.依赖于内部抵抗
回答：B.
6.当前源的电流是
A.零
B.常数
C.依赖于负载
D.依赖于内部抵抗
回答：B.
7.称为可以携带电流的两个点之间的路径
A.网络
B.一个继电器
C.一个电路
D.一个循环
回答：C
8.根据欧姆法律的当前公式是
A.电压/电阻
B.电阻*电压
C.电压+电阻
D.电阻/电压
回答：一种
9.电阻单位是
A. VOLT.
B. AMP.
C.欧姆
D.库仑
回答：C
10.在恒定电压DC电路中，当电阻增加时，电流将
A.减少
B.停止
C.增加
D.仍然是恒定的
回答：一种
基本半导体理论问题
1.硅原子中的价电子数量是
A. 1
B. 4.
C. 8.
D. 16.
回答：B.
2.最常用的半导体元件是
A. Silicon.
B.锗
C.镓
D.碳
回答：一种
铜是一个
A.绝缘体
B.指挥
C.半导体
D.超级指挥
回答：B.
4.硅原子的核中的质子数是
A. 4.
B. 14.
C. 29.
D. 32.
回答：B.
5.导体的价电子也称为
A.绑定电子
B.自由电子
C.核心
D.质子
回答：B.
6.室温下的内在半导体具有
A.一些游离电子和孔
B.许多洞
C.许多自由电子
D.没有洞
回答：一种
7.在室温下，本征半导体由于其中有一些孔
A.兴奋剂
B.自由电子
C.热能
D.价电子
回答：C
8.内在半导体中的孔数是
A.等于自由电子数量
B.大于自由电子数量
C.少于自由电子数量
D.以上都不是
回答：一种
9.孔充当
A.原子
B.晶体
C.负责费用
D.积极指控
回答：D.
10.在集团中挑选奇怪的一个
A.指挥
B.半导体
C.四价电子
D.晶体结构
回答：一种
11.要生产p型半导体，您需要添加
A.三价杂质
B.碳
C.五价杂质
D. Silicon.
回答：一种
12.电子是少数载体
A.外部半导体
B. P型半导体
C.内在半导体
D. n型半导体
回答：D.
13. P型半导体包含
A.孔和负离子
B.孔和正离子
C.孔和五价原子
D.孔和供体原子
回答：一种
14.五边形原子有多少电子？
A. 1
B. 3.
C. 4.
D. 5.
回答：D.
15.负离子是
A.获得质子的原子
B.失去质子的原子
C.获得电子的原子
D.丢失电子的原子
回答：C
16.潜在屏障两侧的PN结中电离的结果是什么？
A.阻挡电压
B.结合
C.耗尽区
D.正向电压
回答：C
17.耗尽区的原因是__________
A.扩散
B.离子
C.兴奋剂
D.正向电压
回答：一种
18.以下哪项是半导体？
A.氩
B.碳
C.云母
D.陶瓷
回答：B.
19.以下掺杂材料是
A. n型半导体
B.多数载体
C.外部半导体材料
D.五价材料
回答：D.
我们可以轻松激活少数竞争因素使用
A.前部电压
B.兴奋剂
欺骗
D.压力
回答：C
基本半导体二极管问题
1.耗尽层是由
A.兴奋剂
B.重组
C.障碍潜力
D.离子
回答：B.
2.二极管中的反向电流通常是
A.非常小
B.非常大
C.零
D.在崩溃区域
回答：一种
3.二极管的雪崩发生在
A.障碍潜力
B.耗尽层
C.膝盖电压
D.击穿电压
回答：D.
4.硅二极管的潜在屏障是
A. 0.3 V.
B. 0.7 V.
C. 1 V.
D. 5V.
回答：B.
5.硅二极管中的反向饱和电流比锗二极管的反向饱和电流为_____
A.相等
B.更高
C.降低
D.取决于温度
回答：C
6.二极管是一个
A.双边设备
B.非线性设备
C.线性设备
D.单极设备
回答：C
7.二极管电流较大，条件
A.前方偏见
B.逆偏见
C.偏见不良
D.反向偏见
回答：一种
8.桥式整流器的输出电压信号是
A.半波
B.全波
C.桥接信号
D.正弦波
回答：B.
9.如果桥式整流器中二极管的最大直流电流额定值是1A，则最大直流负载电流是多少？
A. 1A
B. 2a.
C. 4a.
D. 8A.
回答：B.
10.电压倍增器产生
A.低电压和低电流
B.低电压和高电流
C.高电压和低电流
D.高电压和高电流
回答：C
11.什么是剪刀？
回答：去除波形的零件（正或负）的电路，使得它不超过一定电压电平。
12.什么是夹克？
回答：一个电路，用于向波添加DC电压（正或负）。
13.可以描述齐纳二极管
A.整流二极管。
B.具有恒定电压的装置。
C.具有恒定电流的装置。
D.在前向区域工作的设备。
回答：B.
14.如果齐纳二极管以错误的极性连接，则负载上的电压是
A. 0.7 V.
B. 10 V.
C. 14 V.
D. 18 V.
回答：一种
15.由于二极管允许仅在一个方向上流动，它们可以用于
A.当前限制
B.反向极性保护
C.储存费用
D.电压调节
回答：B.
16.当您使用万用表测试一个好二极管时，它会显示
A.正向偏置或反向偏置时的低阻
B.正向偏置或反向偏置时的高阻
C.当反向偏置时，在正向偏置和低阻时的高阻
D.当反向偏置时正向偏置和高阻时，低电阻
回答：D.
17.当前流动何时在PN结中流动？
A.当p型和n型元素都处于相同的潜力时
B.当P型或n型元素没有潜力时
C.当p型元素处于比n型更积极的电位
D.当n型元素比n型更积极潜力时
回答：C
18.通常使用夹紧电路
A.电视变送器和接收器
B. FM发射器
C.信号发生器（方形，梯形等）
D.以上所有
回答：D.
19.用于转向偏置和二极管的反向电流的测量单位
A.μA和μA
B. ma和μa
C.μA和mA
D. Ma和Ma
回答：B.
20.用于建模二极管特性的图形方法
A.指数方法
B.小信号近似
C.迭代方法
D.恒压降法
回答：一种
基本晶体管问题
1.晶体管中的PN连接数
A.一个
B.二
C.三
D.四
回答：B.
2. NPN晶体管中碱的掺杂浓度是
A.轻微掺杂
B.适度掺杂
C.严重掺杂
D.没有掺杂
回答：一种
3. NPN晶体管中的基极发射极二极管（基极发射极结）是
A.不进行
B.前瞻性偏见
C.反向偏见
D.在崩溃区域进行操作
回答：B.
4.基础，发射器和收集器之间的大小比较是
A.基础>收集器>发射器
B.发射器>收集器>基地
C.收集器>发射器>基地
D.一切都是平等的
回答：C
5.底座 - 集电二极管（基本收集器结）通常是
A.反向偏见
B.前瞻性偏见
C.崩溃区域
D.没有传导
回答：一种
6.晶体管的直流电流增益是
A.发射极电流与收集器电流的比率
B.基极电流与发射极电流的比率
C.集电器电流与基极电流的比率
D.基准电流的碱基比率
回答：C
7.如果基极电流为100μA，电流增益为100，则收集器电流为
A. 1A
B. 10A
C. 1ma.
D. 10mA
回答：D.
8. NPN和PNP晶体管中的多数载波都是
A.孔和电子
B.电子和孔
C.受体离子和供体离子
D.没有
回答：B.
9.晶体管充当
A.电压源和电流源
B.电流源和电阻器
C.二极管和电流源
D.二极管和电源
回答：C
10.基本电流IB，发射极电流IE和集电极电流IC之间的关系
A. IE = IB + IC
B. IB = IC + IE
C. IE = IB - IC
D. IC = IB + IE
回答：一种
11.晶体管散发的总功率是集电器电流的产品
A.供电电压
B. 0.7V.
C.集电极 - 发射极电压
D.基础 - 发射极电压
回答：C
12.共同发射器配置的输入阻抗是
A.低
B.高
C.零
D.非常高
回答：一种
13.公共发射器配置的输出阻抗是
A.低
B.非常低
C.高
D.零
回答：C
14.两种类型的双极连接晶体管（BJT）是
A. NNN和PPP
B. NPN和PNP
C. PNN和NPP
D. NNP和PPN
回答：B.
15. BJT中的常见错误是什么？
A.内部短片
B.打开偏置电阻
C.外部开放和
D. NNP和PPN
回答：B.
16.数字电路中的晶体管通常的操作区域是
A.活动区域
B.线性区域
C.崩溃区域
D.截止和饱和区域
回答：D.
17.发射器跟随配置的另一个名称是
A.公共基本放大器
B.普通发射器放大器
C.普通电集电极放大器
D. Darlington对
回答：C
18. BJT是_________，一个FET是________
A.双极和单极
B. Bipolar和Bipolar
C.单极和单极
D.单极和双极
回答：一种
19.共同基础配置（α）的当前增益是
A.基电流与发射极电流的比率（IB / IE）
B.集电器电流与发射极电流的比率（IC / IE）
C.集电器电流与基极电流的比率（IC / IB）
D.没有
回答：B.
20.α和ß之间的关系是
A.α=β/（ß+ 1）
B.β=α/（1 - α）
C.α=ß*（ß+ 1）
D.α=ß/（ß - 1）
回答：a和b都是
